#NAND 快閃記憶體
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TEL 展望未來十年的晶圓鍵合：3D 晶片正從"兩片拼"走向"四片疊"

半導體裝置巨頭東京電子（TEL）在 2026 年 9 月 2 日的投資者路演中，披露了一份晶圓鍵合（Wafer Bonder）技術路線圖。未來十年，3D 晶片的發展方向已經很清楚，鍵合的晶圓數量要變多，對準精度要更嚴，晶圓翹曲和畸變是必須解決的兩大難題。 從兩片到四片，鍵合越來越複雜 路線圖包含Logic、NAND 快閃記憶體和 DRAM 三大產品線，時間延續到十年後。最顯眼的變化在邏輯晶片： 2025–2026 年前後，主要仍是單片或兩片晶圓等級的鍵合應用；
TEL 展望未來十年的晶圓鍵合：3D 晶片正從"兩片拼"走向"四片疊"
科技#TEL#東京電子#3D IC
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韓國巨頭徹底恐慌！長江記憶體太可怕

中國半導體崛起對韓國的威脅已不僅限於壓力，部分領域甚至已經走在韓國前面。 這是因為中國通過大力投資，即便成功機率不高，也在推動新技術的誕生。 最具代表性的就是NAND快閃記憶體。 業內甚至已經出現一種判斷，中韓在NAND快閃記憶體技術上的差距已不復存在。
韓國巨頭徹底恐慌！長江記憶體太可怕
科技#半導體#NAND快閃記憶體#長江存儲
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鎧俠閃迪，投資超5兆

據彭博社報導，鎧俠控股株式會社（Kioxia Holdings Corp.）和閃迪株式會社（SanDisk Corp.）計畫投資超過5兆日元（約合2108億人民幣），以提升在日本的產能，從而提高目前供應短缺的關鍵人工智慧資料中心元件的產量。 鎧俠首席執行長Hiroo Ota周四表示，這家總部位於東京的NAND快閃記憶體製造商計畫在未來六年內完成這筆投資。該公司計畫僅在北上市就投資1.8兆日元新建一座晶圓廠。該工廠將生產其最新的高密度3D快閃記憶體晶片，旨在幫助管理人工智慧服務產生的大量工作流程。 鎧俠的這項投資將與製造合作夥伴閃迪共同進行，反映出全球最大的記憶體晶片製造商面臨著越來越大的壓力，需要提高產量，以緩解全球電子產品成本上漲帶來的供應緊張局面。目前，全球記憶體和記憶體裝置的價格都在攀升，從輝達到汽車製造商和移動裝置製造商等各家公司的利潤空間都受到了擠壓。本周，輝達高管在財報發佈後的簡報會上警告稱，供應緊張和利潤率面臨壓力。 “北上將成為我們尖端NAND快閃記憶體晶片的主要製造中心，”Ota在與日本首相高市早苗會晤後表示，“我們預計北上工廠的業務將實現顯著增長。”
鎧俠閃迪，投資超5兆
科技#鎧俠#NAND快閃記憶體#閃迪
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記憶體三巨頭同步擴產，是股民撤退的訊號嗎？

三巨頭爭相擴產 近期，三星電子、SK海力士、美光科技集中公佈大規模擴產計畫，投資重點集中在HBM、伺服器DRAM與企業級NAND快閃記憶體。 三巨頭一再強調新增產能大多鎖定雲廠商長期訂單，而且產能建設周期較長，晶圓廠從土建、裝置搬入偵錯到良率爬坡，需要兩三年甚至四五年時間，同時AI記憶體需求激增，所以短期內供不應求的局面不會改變。 8月13日，SK集團會長崔泰源接受CNBC專訪時更是提出了“記憶體荒”的概念。他預測，2027年缺口最為突出，緊張局面或將延續至2030年。他對記憶體價格的暴漲表示抱歉，但也表示無奈，供應短缺實在太嚴重了。
記憶體三巨頭同步擴產，是股民撤退的訊號嗎？
科技#三星電子#SK海力士#美光科技
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三星和SK海力士，在中國大力擴產

據航美報導，韓國國記憶體器企業正加大對中國NAND快閃記憶體生產基地的投資。三星電子已敲定今明兩年在國內投資建設最先進的NAND快閃記憶體轉換工廠的計畫。SK海力士也計畫從今年下半年到明年，確保每月3萬片晶圓的產能。 據業內人士24日透露，三星電子和SK海力士計畫明年在中國積極推進NAND快閃記憶體大規模生產線的設施投資。 自今年上半年以來，三星電子一直在其位於中國西安的X2生產線上進行V9 NAND快閃記憶體的改造投資。三星電子的V9 NAND快閃記憶體是一款採用280個堆疊單元的先進產品，預計每月產能可達4萬至5萬片晶圓。 據報導，三星電子正在敲定追加投資計畫，以加強其晶圓廠的V9 NAND快閃記憶體產能。該計畫的核心是引進額外的蝕刻工藝裝置，而蝕刻工藝是NAND快閃記憶體製造的關鍵環節。
科技#SK海力士#NAND#快閃記憶體
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美光反超鎧俠：NAND市場份額升至15.1%，全球第三

TrendForce公佈的2026年第二季度資料顯示，美光NAND收入達到118.5億美元，環比增長99.2%，市場份額由第一季度的13.9%升至15.1%不僅創下前五大廠商中最快的收入增速，也超過鎧俠，升至全球第三。 2026年第二季度全球NAND快閃記憶體前五大廠商營收排名，三星230.593億美元環比增70.7%份額29.3%居首，SK海力士集團142.729億美元環比增89.5%份額18.2%，美光118.5億美元環比大增99.2%份額升至15.1%反超鎧俠。資料來源：TrendForce。 鎧俠同期收入為107.23億美元，環比增長79.9%，份額卻由13.9%降至13.6%。兩家公司第一季度收入都在59.5億美元附近，幾乎處於同一起跑線； 美光與鎧俠NAND營收對比，第一季度兩家同為59.5億美元起點，第二季度美光升至118.5億美元，鎧俠為107.23億美元，份額分別變為13.9%升至15.1%與13.9%降至13.6%，相同起點下增速差距拉開排名。資料來源：TrendForce。
美光反超鎧俠：NAND市場份額升至15.1%，全球第三
科技#美光#三星電子#SK海力士
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快閃記憶體龍頭，IPO再進一步！

8月19日，據證監會官網消息，長江記憶體控股股份有限公司（以下簡稱“長存控股”）IPO輔導狀態變更為“輔導驗收”。作為國內3D NAND快閃記憶體領域龍頭，這意味著其上市籌備取得重要階段性進展。 公開資料顯示，長存控股成立於2016年，是一家集晶片設計、生產製造、封裝測試及系統解決方案於一體的半導體記憶體器IDM企業。公司聚焦3D NAND快閃記憶體技術研發與產業化落地，產品廣泛覆蓋企業伺服器、資料中心、消費電子等核心應用場景。 市場層面，長存控股的競爭力正加速顯現。市場研究機構Counterpoint發佈的2026年第二季度資料顯示，全球NAND快閃記憶體市場按出貨量計算，長存控股市場份額首次躋身全球前三，標誌著中國記憶體晶片企業的市場地位實現了歷史性突破。 技術自主是長存控股構築競爭力的核心底座。公司自主研發的晶棧®Xtacking®技術架構，開創性地採用晶圓鍵合技術，在傳輸速度、記憶體密度、研發效率及生產周期等維度實現突破性進展，形成了全球3D NAND領域獨具特色的技術路線。目前，晶棧®Xtacking®架構已迭代至第四代，基於該架構打造的長存控股第五代3D NAND系列產品，兼具高密度、高I/O傳輸速率、高能效等多重優勢，可分別滿足企業級與消費級記憶體市場的高性能需求。隨著技術架構的不斷最佳化，晶棧®Xtacking®將為長存控股未來的產品迭代提供長期技術支撐。
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輝達 Vera Rubin 的新變數：HBM 之後，NAND記憶體價格回漲. 附CMX勘誤

所有人都在盯著AI晶片的 HBM 產能大戰時，輝達Vera Rubin 平台的溢出效應，已經燒到了 NAND 快閃記憶體市場。 集邦諮詢（TrendForce）最新援引產業鏈資訊顯示，隨著 Vera Rubin 加速上量，TLC NAND 現貨價格在 6 月觸底後持續反彈，AI 正在成為繼伺服器、消費電子之後，快閃記憶體市場的全新增量引擎。但是在文章CMX 配置資料中，有一個關鍵硬體細節出現了偏差，本文結合官方規格做完整梳理與勘誤。 TLC 現貨價三周漲超 11%，Vera Rubin 成核心推手 截至 2026 年 8 月 17 日，512Gb TLC NAND 現貨價格回升至 21.125 美元，單周漲幅達 4.97%，短短三周累計上漲 11.6%，正式結束了上半年的下行走勢。
輝達 Vera Rubin 的新變數：HBM 之後，NAND記憶體價格回漲. 附CMX勘誤
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